Le transistor de puissance MOS 07/01/2001  Patrick ABATI 
Liste des cours

 Quelques considérations sur le transistor de puissance MOS... 

Valeurs limites

VDSS

100v

VGS

+/-20V

ID

100A

PD

300W

MTY

 Caractéristique de sortie 

Id

En régime de commutation
la tension VGS nominale est 10V

Cela correspond à une tension VDS
proche de 1V
pour un courant ID de 100A

VDS = RDSON * ID
= 0,011 * 100 = 1,1V

 Caractéristique d'entrée 

Id

En régime d'amplification
la tension VGS permet
de régler le courant Id

VGS = 6,5V : ID = 40A

VGS = 8,5V : ID = 80A

 Résistance apparente à l'état passant 

RDSon

La résistance RDSON
augmente
avec le courant ID
et diminue
avec la tension VGS


RDSon

La résistance RDSON
augmente avec la température TJ

Pour un accroissement de température de 25°C
la résistance RDSON augmente de 14%

La résistance RDSON permet de déterminer la puissance dissipée à l'état passant:
P = RDSON * ID² = 0.011 * 100² = 110 W pour ID = 100 A
afin de choisir un dissipateur approprié.


 Capacités parasites 

capacités

Capacité grille-drain: Cgd
Capacité grille-source: Cgs
Capacité drain-source: Cds
La capacité d'entrée est Ciss = Cgd + Cgs
La capacité de sortie est Coss = Cgd + Cds
La capacité de transfert est Crss = Cgd

MTY100N10E

Vds=25VDC Vgs=0VDC
f=1MHz

Symbole

Min

Typ

Max

Unit

Capacité d'entrée

Ciss

-

7600

10640

pF

Capacité de sortie

Coss

-

3300

4620

Capacité de transfert

Crss

-

1200

2400

La capacité d'entrée Ciss doit être chargée et déchargée rapidement pour ne pas nuire à la vitesse de commutation: il faut donc utiliser pour piloter la grille un générateur de tension capable de fournir un courant important (pendant un bref instant) et une résistance de grille relativement faible (quelques ohms).


 Diode source-drain 
Cette diode existe par construction. Elle peut être utilisée comme diode de roue libre, sous réserve que sa rapidité le permette. Le constructeur donne pour la diode du MTY100N10E un temps de recouvrement inverse trr = 145 ns.

 Driver

 

  W3C W3C W3C