C'est un circuit intégré qui permet le pilotage en haute fréquence Cette page est destinée à détailler certains aspects du composant |
Diagramme fonctionnel
Fonctionnement des entrées logiques
Les entrées HIN, HIL et SD sont des entrées logiques, compatibles CMOS et TTL LS. Les niveaux de basculement sont liés à la valeur de la tension d'alimentation VDD. Par exemple, pour VDD=15v, le niveau haut est compris entre 9,5v et 15v, le niveau bas est compris entre 0v et 6v.
L'étude suivante concerne HIN, mais s'applique de la même façon à HIL.
L'entrée logique SD, lorsqu'elle est au niveau haut, bloque la sortie OUT (OUT= 0). Lorsque SD est au niveau bas, les impulsions qui arrivent sur HIN sont présentes sur la sortie OUT. Grâce à la bascule RS, une impulsion en partie bloquée par SD, reste bloquée jusqu'à sa fin. Cette propriété peut être utilisée pour moduler les largeurs d'impulsions à partir de l'entrée SD.
Étage de sortie bas
Cet étage dispose d'une sortie LO pouvant délivrer un courant de 2A par l'intermédiaire du push-pull T1-T2. Ces transistors ont un fonctionnement complémentaire.
Lorsque la tension Vcc est insuffisante, T1 est bloqué et T2 est saturé. Dans le cas contraire, c'est DELAY qui fixe l'état de T1 et T2.
Étage de sortie haut
Cet étage dispose d'une sortie HO pouvant délivrer un courant de 2A par l'intermédiaire du push-pull T3-T4. Ces transistors ont un fonctionnement complémentaire.
Lorsque la tension VB est insuffisante, T3 est bloqué et T4 est saturé. Dans le cas contraire, c'est PULSE FILTER qui fixe l'état de T1 et T2.
Étage de décalage de niveau haute tension
Montages d'application
Commande de 2 MOSFET
Dans ce montage, les condensateurs C1, C2 et C3 assurent le filtrage des alimentations VDD, VCC et VB. La tension VCC doit être comprise entre 10v et 20v, la tension VDD entre 4,5v et 20v. L'alimentation VB est obtenue à partir de VCC, par charge de C2 à travers D et Load, lorsque T2 est saturé.
Commande isolée d'un MOSFET
L' opto - coupleur garantit l'isolation galvanique. Il faut le choisir en fonction de la fréquence de commutation du Mosfet.