L'IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) est un transistor bipolaire à porte isolée. Il associe les avantages des transistors bipolaires (tensions et courants élevés) et ceux des transistors MOSFET (rapidité des commutations, énergie de commande faible).
Symboles
Structure
elle est proche de celle d'un MOSFET
Schéma équivalent
Le transistor NPN ne conduit normalement pas, la tension aux bornes de la résistance r étant insuffisante. Dans le cas où il entre accidentellement en conduction, il y a perte de contrôle de l'IGBT. En effet, l'association des deux transistors est équivalente à un thyristor : le blocage ne peut avoir lieu que lorsque le courant principal s'annule. Le constructeur de l'IGBT utilise différentes techniques de fabrication pour éviter ce phénomène.
Schéma équivalent simplifié
Blocage
L'IGBT présente l'inconvénient d'un blocage moins rapide que le MOSFET, ce qui limite sa fréquence de commutation à quelques dizaines de kHz.
La place de l'IGBT parmi les autres semi-conducteurs de puissance
|
Thyristor |
Thyristor |
Transistor |
IGBT |
GTO |
Tension |
6000V |
1500V |
1400V |
1200V |
4500V |
Courant |
5000A |
1500A |
500A |
400A |
3000A |
Fréquence |
1kHz |
3kHz |
5kHz |
20kHz |
1kHz |