Le transistor bipolaire

07/01/2001

 Patrick ABATI 

Il possède 3 électrodes : Base, Collecteur, Émetteur.

 Les deux types de transistors bipolaires 

 Détermination des 3 électrodes et du type 

En l'absence d'effet transistor, le schéma équivalent d'un transistor est le suivant:

Il est possible de déterminer le type et la base à l'aide d'un ohm-mètre sur la position diode, sachant que la paire C - E est bloquée dans les deux sens.
On détermine ensuite la tension inverse de claquage à partir du montage suivant:

pour le type NPN La tension la plus faible correspond au couple Base - Émetteur (V2 < V1)

 L'effet transistor 
Lorsqu'on applique sur la base du transistor une tension VE à travers une résistance RB, un Courant IB circule de la base vers l'émetteur. Un courant IC circule alors du collecteur vers l'émetteur: IC = hFE * IB , hFE étant l'amplification de courant ou gain statique.

 Caractéristiques 

Caractéristique Base - Émetteur: c'est la caractéristique d'une diode

Caractéristique Collecteur - Émetteur: c'est un réseau de caractéristiques Chaque courbe est obtenue pour une valeur de IB

 Quelques considérations sur le transistor de puissance bipolaire... 

Valeurs limites
VCE0	150v
VEB	6v
IC	50A
IB	20A
PD	250W
TJ	200°C

La puissance que peut dissiper le transistor dépend de la température de son boîtier. La dissipation maximale est de 250 W si le boîtier est maintenu à une température inférieure à 25°C. Elle n'est plus que de 145 W si la température du boîtier monte à 100°C.

Pour TJ et VCE donnés le gain statique hFE est fonction du courant IC hFE = 10 pour IC = 50A hFE = 30 pour IC = 30A hFE = 60 pour IC = 20A

Pour une température de jonction de 25°C, un VCE de 4v et un IC de 30A, le courant de base est 0,6A. Cela correspond à un gain statique de 30/0,6 = 50

VCEsat augmente avec IC 0,4V pour 10A 1,2V pour 30A